硬件评测
随着芯片制程的不断下探，我们在移动设备上获得性能、功耗双重福利。高通骁龙835、Exynos 8895均采用三星10nm
FinFET节点，实际表现令人期待。
① 若是以新工艺的能效为参考维度，三星宣称10nm
FinFET相比上一代14nm工艺具有如下优势：减少30%芯片尺寸，同时实现性能提升27%、或功耗降低40%。
② 若是以设备的能效为参考维度，根据三星官网公布的数据：
——国行版Galaxy S8基于骁龙835平台，相比上代Galaxy S7（骁龙820版），CPU、GPU性能分别提升26%、21%。
——国际版Galaxy S8基于Exynos 8895平台，相比上代Galaxy
S7（Exynos8890版），CPU、GPU性能分别提升10%、50%。
国行版Galaxy S8/S8+（骁龙835）
骁龙835采用半定制的八核Kryo架构，包括4×2.45GHz的性能丛集、4×1.9GHz的效率丛集；图形核心升级为Adreno
540，SoC集成X16千兆级LTE、双14位Spectra 180 ISP等模块。
若是以芯片的能效为参考维度，高通官方公布的数据为：骁龙835相比骁龙820，功耗降低25%。除此之外，骁龙835还带来堪比光纤的千兆级LTE、沉浸式VR体验等诸多先进特性。
在Geekbench4基准测试中，国行版Galaxy
S8的单线程成绩为1933、多线程成绩为5887，反映3D渲染和密集计算的RenderScript成绩为7658。
国际版Galaxy S8/S8+（Exynos 8895）
国际版Galaxy S8/S8+首发自家的Exynos 8895处理器，成为该机的又一亮点。Exynos
8895加入千兆LTE、双ISP，支持4K分辨率120帧/秒的视频录制和播放。
Exynos
8895采用了八核CPU设计，包括4颗自研的性能核心（第二代猫鼬架构）、4颗Cortex-A53效率核心；GPU则为恐怖的20核心Mali-G71，多核低频保证长时间负载的性能和效率。
在安兔兔基准测试中，国际版Galaxy S8的得分跑分达到160411，其中3D图形性能得分为63583，整体性能位居目前Android阵营的顶尖水准。
总而言之，无论是哪种处理器平台，三星Galaxy S8/S8+都足以登顶Android机皇的宝座。
总结
在发布会之前，很多人都已经猜对了三星Galaxy
S8/S8+的外观，超高屏占比的设计确实惊艳，但是真机到手之后你会发觉，在那逆天屏占比的背后，还有更多值得试玩的功能。从机身设计、系统安全与拍照体验等方面来讲，毫无疑问，三星Galaxy
S8/S8+是目前媒体与消费者公认综合实力最强的安卓手机（在三星Galaxy Note8出现之前，很可能没有之一）。
